5．新技術探索

   為了提高非晶硅太陽電池的初始效率和光照條件下的穩(wěn)定性，人們探索了許多新的材料恰工藝。比較重要的新工藝有：化學退火法、脈沖虱燈光照法、氫稀釋法、交替淀積與氫衛(wèi)法、摻氟、本征層摻痕量硼法、等。此外，為了提高a-Si薄膜材料的摻硼效率，用二基硼代替二乙硼烷作摻雜源氣。為了獲得a-Si膜的高淀積速率，采用二乙硅炕代替甲硅烷作源氣。

   所謂化學退火，就是在一層一層生長a一Si薄膜的間隔，用原子氫或激活的Ar、He原子來處理薄膜，使表面結構弛豫，從而減少缺陷和過多的氫，在保證低隙態(tài)密度的同時，降低做衰退效應，這里，化學處理粒子是用附加的設備產(chǎn)生的。

   氫稀釋法則采用大量（數(shù)十倍）氫稀釋硅炕作源氣淀積a-Si合金薄膜，實際上，一邊米薄膜一邊對薄膜表面作氫處理，原理一樣，方法更簡單，效果基本相當。

    交替淀積與氫處理則是：重復進行交替的薄膜淀積與氫等離子體處理。這是上述兩種方以結合。脈沖氖燈光照法是在一層一層生長a-Si薄膜的問隔，周期地用脈沖氖燈光照處嘟膜表面，穩(wěn)定性有顯著提高。在制備a-Si的源氣中加入適量的四氟化硅就可實現(xiàn)a-Si以．摻氟使畦網(wǎng)絡結構更穩(wěn)定。本征8si呈弱N型，摻入痕量硼可將費來能級移向帶隙中央，既可提高光靈敏度又可減少先致衰退。

     6．新制備技術探索

   射頻等離子體強CVD是當今普遍采用的制備a一Sl合金薄膜的方法。它的主要優(yōu)，權是：可以用較低的襯底溫度（200℃左右），可以重復制各大面積均勻的薄膜，制得的氫化a-Si合金薄膜無結構缺陷、臺階復益良好，隙態(tài)密度低，光電子特性符合大面積太陽電池的要求。此法的主要缺點也是致命的缺點是，制備的a-Si膜含氫量高，通常有的10％-5％氫含量。光致衰退比較嚴重。因此，人們一方面運用這一方法實現(xiàn)了規(guī)模化生產(chǎn)；另一方面又不斷努力探索新的制備技術。

   與RF-PECVD最近鄰的技術有，超高真空PECVD技術，甚高頻（VHF ） PECVD技術和微波（包括ECR） PECVD技術。激發(fā)等離子體的電磁波光子能量不同，則氣體分解粒子的能量不同，粒子生存壽命不同，薄膜的生成及對膜表面的處理機制不同，生成膜的結構、電子特性及穩(wěn)定性就會有區(qū)別。 yHF和微波PECVD在微晶硅的制備上有一定的優(yōu)勢。

   其它主要其新技術還有，離子束淀積a一si薄膜技術，H0M0一CVD技術和熱絲CVD技術等。離子束淀積a-Si合金薄膜時，包括硅烷在內(nèi)的反應氣體先在離化室離化分解，然后形成離子束，淀積到襯底上，形成結構絞穩(wěn)定的a一Sl合金薄膜。 H0M0一CVD技術通過bo熱氣體，儀之熱分解，分解粒子再淀積在襯底上。成膜的先級粗子壽命校長，膜的電子性能良好，氫含量低，穩(wěn)定性較好。這兩種技術成膜質(zhì)量雖好，但難以形成產(chǎn)業(yè)化技術。熱絲CVD技術也是較有希望的優(yōu)質(zhì)薄膜硅的高速制備技術。